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BSR30分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BSR30
廠商型號(hào)

BSR30

參數(shù)屬性

BSR30 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:BSR30/SOT89/MPT3

功能描述

PNP medium power transistors

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

41.28 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

PHI

中文名稱

飛利浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-9 23:01:00

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BSR30規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

PNP medium power transistor in a SOT89 plastic package. NPN complements: BSR40; BSR41 and BSR43.

FEATURES

? High current (max. 1 A)

? Low voltage (max. 80 V).

APPLICATIONS

? Telephony and general industrial applications

? Thick and thin-film circuits.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BSR30F

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 100mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-89

  • 描述:

    BSR30/SOT89/MPT3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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