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DG613DJ

High-Speed,Low-GlitchD/CMOSAnalogSwitches

DESCRIPTION TheDG611,DG612,DG613featurehigh-speedlowcapacitancelateralDMOSswitches.Chargeinjectionhasbeenminimizedtooptimizeperformanceinfastsample-and-holdapplications. FEATURES ?Fastswitching-tON:12ns ?Lowchargeinjection:±2pC ?Widebandwidth:500MHz ?5

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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DG613DJ

High-Speed,Low-GlitchD/CMOSAnalogSwitches

FEATURES ?Fastswitching-tON:12ns ?Lowchargeinjection:±2pC ?Widebandwidth:500MHz ?5VCMOSlogiccompatible ?LowRDS(on):18? ?Lowquiescentpower:1.2nW ?Singlesupplyoperation BENEFITS ?Improveddatathroughput ?Minimalswitchingtransients ?Improvedsystem

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

DG613DY

High-Speed,Low-GlitchD/CMOSAnalogSwitches

DESCRIPTION TheDG611,DG612,DG613featurehigh-speedlowcapacitancelateralDMOSswitches.Chargeinjectionhasbeenminimizedtooptimizeperformanceinfastsample-and-holdapplications. FEATURES ?Fastswitching-tON:12ns ?Lowchargeinjection:±2pC ?Widebandwidth:500MHz ?5

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    BSP613P

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    SIPMOS®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
24+
SOT-223
43524
原廠直供,支持賬期,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持
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原裝正品,歡迎來撩
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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低于市場價,實(shí)單必成,QQ1562321770
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原廠授權(quán)代理 價格絕對優(yōu)勢
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原裝正品 可含稅交易
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更多BSP613P供應(yīng)商 更新時間2025-7-24 23:00:00