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BSP220中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BSP220
廠商型號

BSP220

功能描述

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

文件大小

184.31 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-22 17:33:00

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BSP220規(guī)格書詳情

FEATURES

· Low RDS(on)

· Direct interface to C-MOS, TTL,

etc.

· High-speed switching

· No secondary breakdown.

DESCRIPTION

P-channel enhancement mode

vertical D-MOS transistor in a

miniature SOT223 envelope and

intended for use in relay, high-speed

and line transformer drivers.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BSP220

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE-7 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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