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FB4410Z

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

FB4410Z

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FB4410Z

HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS

IRF

International Rectifier

FB4410Z

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDR4410

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheFDR4410hasbeendesignedasasmaller,lowcostalternativetothepopularSi4410DY. TheSuperSOTTM-8packageis40smallerthantheSO-8package. TheSuperSOTTM-8advancedpackagedesignandoptimizedpinoutallowthetypicalpowerdissipationtobesimilartothebigg

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDS4410

SingleN-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrenchTMMOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheMOSFETfeaturesfasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithco

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDS4410A

SingleN-Channel,Logic-Level,PowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance.Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQS4410

SingleN-Channel,LogicLevel,PowerMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FTK4410D

N-ChannelMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTSO4410

SmallSignalGeneralPurposeAmplifiers&Switchs

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BSO4410

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原廠渠道供應,大量現(xiàn)貨,原型號開票。
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更多BSO4410供應商 更新時間2025-7-26 23:00:00

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