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BSM100GB120DN2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BSM100GB120DN2 |
參數(shù)屬性 | BSM100GB120DN2 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 145A 700W |
功能描述 | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
132.18 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Siemens Semiconductor Group |
企業(yè)簡稱 |
SIEMENS【西門子】 |
中文名稱 | 德國西門子股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | SIEMENS |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-3 22:30:00 |
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BSM100GB120DN2規(guī)格書詳情
IGBT Power Module
? Half-bridge
? Including fast free-wheeling diodes
? Package with insulated metal base plate
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BSM100GB120DN2KHOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
托盤
- 配置:
半橋
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,100A
- 輸入:
標準
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應商器件封裝:
模塊
- 描述:
IGBT MOD 1200V 145A 700W
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
EUPEC |
24+ |
模塊 |
6000 |
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EUPEC |
22+ |
模塊 |
8000 |
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EUPEC |
25+ |
IGBT |
3000 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
EUPEC |
24+ |
142 |
詢價 |