BSH111中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
BSH111規(guī)格書詳情
描述 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology.
Product availability: BSH111 in SOT23.
特性 Features
■ TrenchMOS? technology
■ Very fast switching
■ Low threshold voltage
■ Subminiature surface mount package.
Applications
■ Battery management
■ High speed switch
■ Logic level translator.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
BSH111
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRNCH 55V 335MA
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
50 |
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詢價 | ||
恩XP |
25+ |
SOT23 |
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詢價 | ||
PHI |
24+/25+ |
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詢價 | |||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-23 |
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恩XP |
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詢價 | ||
恩XP |
新年份 |
SOT23-3 |
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恩XP |
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恩XP |
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