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BSH108中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BSH108
廠商型號

BSH108

功能描述

N-channel enhancement mode field-effect transistor

文件大小

418.83 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-24 21:28:00

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BSH108規(guī)格書詳情

1. Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS?1 technology.

Product availability:

BSH108 in SOT23.

2. Features

n TrenchMOS? technology

n Very fast switching

n Logic level compatible

n Subminiature surface mount package.

3. Applications

n Battery management

n High speed switch

n Low power DC to DC converter.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BSH108

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE7 PWR-MO

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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