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BSH105中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BSH105
廠商型號

BSH105

功能描述

N-channel enhancement mode MOS transistor

文件大小

229.87 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 23:01:00

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BSH105規(guī)格書詳情

FEATURES

? Very low threshold voltage

? Fast switching

? Logic level compatible

? Subminiature surface mount

package

GENERAL DESCRIPTION

N-channel, enhancement mode,

logic level, field-effect power

transistor. This device has very low

threshold voltage and extremely

fast switching making it ideal for

battery powered applications and

high speed digital interfacing.

The BSH105 is supplied in the

SOT23 subminiature surface

mounting package.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BSH105

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE7 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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