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BSC080N12LS

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/080n12ls/marking.html">080N12LS；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 120 V

Features ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?150°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC080N12LS G

120V OptiMOS? 3 power MOSFETs in logic level provide low RDS(on) in a small package; \n優(yōu)勢(shì):\n? Higher power density designs\n? Higher switching frequency\n? Reduced parts count wherever 5V supplies are available\n? Driven directly from microcontrollers (slow switching)\n? System cost reduction\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    BSC080N12LSGATMA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    PG-TDSON-8

  • VDS max：

    120 V

  • RDS (on) @10V max：

    8 m?

  • RDS (on) @4.5V max：

    9.5 m?

  • ID @25°C max：

    99 A

  • QG typ @10V：

    79 nC

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -55 °C

  • Operating Temperature max：

    150 °C

  • VGS(th) min：

    1.2 V

  • VGS(th) max：

    2.4 V

  • VGS(th)：

    1.85 V

  • Technology：

    OptiMOS? 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多BSC080N12LS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 11:17:00

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