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BSC060P03NS3E G

20V-250V P-Channel Power MOSFET; ? 增強模式\n? 正常電平、邏輯電平或超邏輯電平\n? 雪崩評級\n? 無鉛鍍層；符合 RoHS\n\n優(yōu)勢:\n;

英飛凌高度創(chuàng)新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。這些產品始終滿足電力系統(tǒng)設計關鍵規(guī)范中的至高質量和性能要求，例如導通電阻特性和品質因數(shù)特性。\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC060P03NS3EG

OptiMOS P3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術參數(shù)

  • OPN：

    BSC060P03NS3EGATMA1

  • Qualification：

    Automotive

  • Package name：

    PG-TDSON-8

  • VDS max：

    -30 V

  • RDS (on) @10V max：

    6 m?

  • ID @25°C max：

    -100 A

  • QG typ @10V：

    61 nC

  • VGS(th) min：

    -3.1 V

  • VGS(th) max：

    -1.9 V

  • Technology：

    OptiMOS? P3

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更多BSC060P03NS3E供應商 更新時間2025-7-28 14:16:00

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