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BSC047N08NS3

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC047N08NS3 G

20V-300V N-Channel Power MOSFET; ? 優(yōu)化直流-直流轉(zhuǎn)換器技術(shù)\n? 出色的柵極電荷 x R DS(ON) 產(chǎn)品 (FOM)\n? 出色的耐熱性\n? 雙面冷卻\n? 寄生電感低\n? 纖薄外形 (<0.7mm)\n? N通道，正常電平\n? 100% 經(jīng)過雪崩測試\n? 無鉛鍍層;符合 RoHS\n\n\n優(yōu)勢:\n;

OptiMOS? 系列是高效率解決方案的市場領(lǐng)導者，適用于發(fā)電（例如太陽能微逆變器）、電源（例如服務器和通信）以及功耗（例如電動車）領(lǐng)域。\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC047N08NS3G

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/047n08ns/marking.html">047N08NS；Package：TDSON-8；OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC047N08NS3G_12

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC047N08NS3G

絲印：047N08NS；Package：TDSON-8；OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FDP047N08

N-ChannelPowerTrench?MOSFET75V,164A,4.7m廓

Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features ?RDS(on)=3.8m?(Typ.)@VGS=10V,ID=80A ?Fastswitc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDP047N08

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

KU047N08P

N-chTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisTrenchMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConverter,SynchronousRectificationandaloadswitchinbatterypoweredapplications FEATU

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    BSC047N08NS3GATMA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    PG-TDSON-8

  • VDS max：

    80 V

  • RDS (on) @10V max：

    4.7 m?

  • ID @25°C max：

    100 A

  • QG typ @10V：

    52 nC

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -55 °C

  • Operating Temperature max：

    150 °C

  • Technology：

    OptiMOS? 3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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原廠渠道供應,大量現(xiàn)貨,原型號開票。
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