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BSC033N08NS5SC分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BSC033N08NS5SC
廠商型號(hào)

BSC033N08NS5SC

參數(shù)屬性

BSC033N08NS5SC 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRENCH 40\u003c-\u003c100V

功能描述

OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V
TRENCH 40\u003c-\u003c100V

絲印標(biāo)識(shí)

033N08SC

封裝外殼

PG-WSON-8

文件大小

1.09223 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-1 22:58:00

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BSC033N08NS5SC規(guī)格書詳情

BSC033N08NS5SC屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BSC033N08NS5SC晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

特性 Features

? Dual-side cooled package with lowest Junction-top thermal resistance

? Optimized for synchronous rectification in server and desktop

? 100 avalanche tested

? Superior thermal resistance

? N-channel

? 175°C rated

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BSC033N08NS5SCATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    TRENCH 40\u003c-\u003c100V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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