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BSC032N03S

OptiMOS2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC032N03S

Low Voltage MOSFETs - OptiMOS? Power MOSFET, 30V, SuperSO8, RDSon = 3.2mOhm, 50A, LL;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC032N03S_09

OptiMOS?? Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC032N03SG

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/32n03s/marking.html">32N03S；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC032N03SG

OptiMOS?2 Power-Transistor; ? Fast switching MOSFET for SMPS\n? Optimized technology for notebook DC/DC converters\n? Qualified according to JEDEC1 for target applications\n? Logic level / N-channel\n? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)\n? Very low on-resistance R DS(on)\n? Superior thermal resistance\n? Avalanche rated; dv/dt rated\n? Pb-free lead plating; RoHS compliant\n? Halogen-free according to IEC61249-2-21;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BSC032N03S

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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5000
原裝正品,假一罰十
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更多BSC032N03S供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 17:15:00

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