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BSC025N03LS G

20V-300V N-Channel Power MOSFET; ? 極低的柵極和輸出電荷\n? 極低的導(dǎo)通狀態(tài)電阻，小體積封裝\n? 設(shè)計導(dǎo)入容易\n\n優(yōu)勢:\n? 延長電池壽命\n? 改進 EMI 表現(xiàn)，無需外部緩沖器網(wǎng)絡(luò)\n? 節(jié)省成本\n? 節(jié)約空間?\n? 減少功率損耗\n;

極低的柵極和輸出電荷，結(jié)合極低的導(dǎo)通狀態(tài)電阻和小體積封裝，使 OptiMOS? 25V 成為要求較高的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和通信電壓調(diào)節(jié)器解決方案的最佳選擇。OptiMOS? 30V 產(chǎn)品專為滿足筆記本電腦的電源管理需求而量身定制，可改善電磁干擾行為，以及延長電池壽命。可用于半橋配置（功率級 5x6）\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC025N03LSG

OptiMOS??Power-MOSFET

Features ?FastswitchingMOSFETforSMPS ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel;Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?Avalanc

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC025N03MS

OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET

Features ?Optimizedfor5Vdriverapplication(Notebook,VGA,POL) ?LowFOMSWforHighFrequencySMPS ?100avalanchetested ?N-channel ?Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC025N03MSG

OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET

Features ?Optimizedfor5Vdriverapplication(Notebook,VGA,POL) ?LowFOMSWforHighFrequencySMPS ?100avalanchetested ?N-channel ?Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

G025N03T

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG025N03Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

RSR025N03

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

RSR025N03

4VDriveNchMOSFET

4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(TSMT3). Application Powerswitching,DC/DCconverter. Structure SiliconN-channel MOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RSR025N03

4VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RSR025N03

Switching(30V,2.5A)

■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RSR025N03FRATL

Nch30V2.5ASmallSignalMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    BSC025N03LSGATMA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    PG-TDSON-8

  • VDS max：

    30 V

  • RDS (on) @10V max：

    2.5 m?

  • RDS (on) @4.5V max：

    3.6 m?

  • ID @25°C max：

    100 A

  • QG typ @10V：

    56 nC

  • QG typ @4.5V：

    27 nC

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -55 °C

  • Operating Temperature max：

    150 °C

  • VGS(th) min：

    1 V

  • VGS(th) max：

    2.2 V

  • Technology：

    OptiMOS? 3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
24+
SuperSO8
8866
詢價
Infineon
23+
NA
19854
專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價代理特價，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品
 詢價
INFINEO
23+
QFN
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
 詢價
INFINEON
18+
TDSON-8
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
Infineon
20+
DFN56
32550
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
INFINE0N
21+
SuperSO8
32568
100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
 詢價
INFINEON
10+PBF
QFN8
1000
優(yōu)勢
 詢價
Infineon(英飛凌)
2447
PG-TDSON-8
105000
5000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,
 詢價
INFINEON/英飛凌
21+
NA
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
 詢價
更多BSC025N03LS G供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:30:00

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