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BSB056N10NN3 G

20V-300V N-Channel Power MOSFET; ? 優(yōu)異的開關(guān)性能\n? 世界較低的 (R Ds(on))\n? 極低的 Qg 和 Qgd\n? 出色的柵極電荷 x R DS（on）產(chǎn)品（FOM）\n? 符合 RoHS 標準 - 無鹵素\n? MSL1 評級 2\n\n優(yōu)勢:\n? 環(huán)保\n? 提高效率\n? 極高的功率密度\n? 減少并聯(lián)\n? 極低的板空間消耗\n? 產(chǎn)品易于設(shè)計\n;

英飛凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以為高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解決方案。與下一代出色技術(shù)相比，該系列在 R Ds（on）和 FOM（品質(zhì)因數(shù)）方面均降低了30％。\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSB056N10NN3G

MaterialContentDataSheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSB056N10NN3G

n-ChannelPowerMOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    BSB056N10NN3GXUMA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    DirectFET MN (MG-WDSON-2)

  • VDS max：

    100 V

  • RDS (on) @10V max：

    5.6 m?

  • ID @25°C max：

    83 A

  • QG typ @10V：

    56 nC

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -40 °C

  • Operating Temperature max：

    150 °C

  • Technology：

    OptiMOS? 3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BSB056N10NN3 G供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 14:16:00

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