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BS870-7-F中文資料美臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BS870-7-F
廠商型號

BS870-7-F
功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
文件大小

426.37 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES【美臺半導(dǎo)體】

中文名稱

美臺半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
DIODES
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-4 23:00:00
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BS870-7-F規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low On-Resistance

? Low Gate Threshold Voltage

? Low Input Capacitance

? Fast Switching Speed

? Low Input/Output Leakage

? Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    BS870-7-F

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 310mW

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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