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BS108中文資料GE數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BS108
廠商型號(hào)

BS108

功能描述

DMOS Transistors (N-Channel)

文件大小

227.58 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

GE GE Industrial Company

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 17:41:00

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BS108規(guī)格書詳情

FEATURES

? High breakdown voltage

? High input impedance

? Low gate threshold voltage

? Low drain-source ON resistance

? High-speed switching

? No minority carrier storage time

? CMOS logic compatible input

? No thermal runaway

? No secondary breakdown

? Specially suited for telephone subsets

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BS108

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 250mA Logic

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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