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MMD65R600QRH	文件：353.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MMD65R600QRH	文件：1.41906 Mbytes Page：10 Pages	650V0.60ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF65R600Q	文件：1.4807 Mbytes Page：10 Pages	650V0.60ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF65R600QTH	文件：322.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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TPA65R600C	文件：1.28371 Mbytes Page：12 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司	WUMC
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BRD802WN0	POWER	23+	SOP20	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BRD802WN0	POWER	23+	SOP20	6000	專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
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