安海半導(dǎo)體（ANHI Semiconductor）是由具備功率半導(dǎo)體行業(yè)超過20年經(jīng)驗(yàn)的資深團(tuán)隊(duì)組建而成，專注于高性能功率半導(dǎo)體技術(shù)、產(chǎn)品及系統(tǒng)方案的開發(fā)。以自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系、自主工藝器件技術(shù)和產(chǎn)品技術(shù)為核心的構(gòu)建國(guó)內(nèi)首個(gè)專注于高性能第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先的公司。為國(guó)內(nèi)電源、動(dòng)力驅(qū)動(dòng)及能源轉(zhuǎn)換行業(yè)提供從分立器件到模組級(jí)解決方案。

安海半導(dǎo)體推出基于世界領(lǐng)先的平面高密度工藝與溝槽工藝的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體碳化硅SIC MOSFET產(chǎn)品，并且擁有首份國(guó)內(nèi)碳化硅SIC MOSFET 溝槽結(jié)構(gòu)發(fā)明專利。產(chǎn)品性能：高頻率、高功率、高效率、低導(dǎo)通電阻；具有電流密度高、開關(guān)速度快、浪涌和短路能力強(qiáng)；電壓覆蓋1200V、1700V、1900V、3300V等廣泛電壓和以上優(yōu)點(diǎn)。

典型應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)椋盒履茉雌?、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、儲(chǔ)能電源、風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等。在新能源應(yīng)用上更能滿足新能源汽車、充電樁高效率和高功率密度的性能要求。

經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品

SiC MOSFET

SJ MOSFET

SGTMOSFET

IGBT

應(yīng)用領(lǐng)域

新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、儲(chǔ)能電源、風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等