希科半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司專注于第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵材料—碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。產(chǎn)品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅電力電子器件。

公司位于蘇州納米城三區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，占地面積五千平米。創(chuàng)始團(tuán)隊擁有15年以上的碳化硅外延片量產(chǎn)經(jīng)驗，憑借業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的外延工藝技術(shù)和最先進(jìn)的生產(chǎn)測試設(shè)備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6寸/8英寸導(dǎo)電型碳化硅外延晶片。公司成立以來，先后實(shí)現(xiàn)了多項外延工藝創(chuàng)新和核心裝備的國產(chǎn)化替代，榮獲江蘇省雙創(chuàng)人才、姑蘇創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍人才、蘇州市獨(dú)角獸培育企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)領(lǐng)軍人才等重大獎項，未來將不斷提高研發(fā)水平，全力擴(kuò)大市場份額，快速成長為一家具有持續(xù)研發(fā)創(chuàng)新能力、技術(shù)領(lǐng)先并推動整個產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步的標(biāo)桿企業(yè)。

經(jīng)營產(chǎn)品

N型8英寸碳化硅外延晶片

N型6英寸碳化硅外延晶片

應(yīng)用領(lǐng)域

電力電子、射頻通信、光電子、航空航天與國防領(lǐng)域