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BQ4014YMB-120集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4014YMB-120
廠商型號(hào)

BQ4014YMB-120

參數(shù)屬性

BQ4014YMB-120 封裝/外殼為32-DIP 模塊(0.61",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE

功能描述

256Kx8 Nonvolatile SRAM

封裝外殼

32-DIP 模塊(0.61",15.49mm)

文件大小

763.39 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

TI

中文名稱

德州儀器

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-18 16:33:00

人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BQ4014YMB-120

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    2Mb(256K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    120ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    32-DIP 模塊(0.61",15.49mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-DIP 模塊(18.42x52.96)

  • 描述:

    IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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