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BQ4013MA-120集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4013MA-120
廠商型號

BQ4013MA-120

參數(shù)屬性

BQ4013MA-120 封裝/外殼為32-DIP 模塊(0.610",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

功能描述

128 k X 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

封裝外殼

32-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

文件大小

164.85 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

TI

中文名稱

德州儀器

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-18 22:50:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BQ4013MA-120

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    120ns

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    32-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

  • 供應商器件封裝:

    32-DIP 模塊(18.42x42.8)

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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