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BMH027MR07E1G3中文資料基本半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BMH027MR07E1G3
廠商型號(hào)

BMH027MR07E1G3

功能描述

SiC MOSFET Module

文件大小

2.94552 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

BASICSEMI

中文名稱

基本半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-5 20:38:00

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BMH027MR07E1G3規(guī)格書詳情

Electrical Features

Low RDS(on)

High current density

Low inductance design

Low switching losses

Less susceptible to malfunction due to

high threshold voltage: VGS(th).typ = 4.0V

Built-in SiC schottky barrier diode

Zero Reverse Recovery from Diodes

Low diode forward voltage

Intergrated NTC temperature sensor

Press-FIT contact technology

Rugged mounting due to intergrated mouting clamps

Mechanical Features

Si3N4 ceramic substrate with excelent power cycling capability

High Frequency converter/Inverters

DC-DC Converters

EV Chargers

UPS systems

Solar applications

Potential Applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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