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BM60212FV-C集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

BM60212FV-C
廠商型號

BM60212FV-C

參數(shù)屬性

BM60212FV-C 封裝/外殼為20-SSOP(0.240",6.10mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP

功能描述

1200V High Voltage High and Low Side Driver

封裝外殼

20-SSOP(0.240",6.10mm 寬)

文件大小

2.06486 Mbytes

頁面數(shù)量

26

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
ROHM
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-4 8:50:00

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BM60212FV-C規(guī)格書詳情

General Description

The BM60212FV-C is high and low side drive IC which

operates up to 1200V with bootstrap operation, which

can drive N-channel power MOSFET and IGBT.

Under-voltage Lockout (UVLO) function and Miller

Clamp function are built-in.

特性 Features

? AEC-Q100 Qualified(Note 1)

? High-Side Floating Supply Voltage 1200V

? Active Miller Clamping

? Under Voltage Lockout Function

? 3.3V and 5.0V Input Logic Compatible

(Note 1) Grade 1

Applications

? MOSFET Gate Driver

? IGBT Gate Driver

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BM60212FV-CE2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動配置:

    高壓側(cè)和低壓側(cè)

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 24V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    4.5A,3.9A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    50ns,50ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    20-SSOP(0.240",6.10mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    20-SSOP-BW

  • 描述:

    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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