BLW96分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BLW96 |
| 參數(shù)屬性 | BLW96 封裝/外殼為SOT-121B；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4 |
| 功能描述 | HF/VHF power transistor |
| 封裝外殼 | SOT-121B |
| 文件大小 |
89.59 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | PHI |
| 中文名稱 | 飛利浦 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-8 9:16:00 |
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BLW96規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated high power industrial and military transmitting equipment in the h.f. and v.h.f. band. The transistor presents excellent performance as a linear amplifier in s.s.b. applications. It is resistance
stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions. Transistors are supplied in matched hFE groups.
The transistor has a 1?2 flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BLW96/01,112
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
55V
- 頻率 - 躍遷：
235MHz
- 功率 - 最大值：
340W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 7A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
12A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
SOT-121B
- 供應商器件封裝：
CRFM4
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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