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BLV11數(shù)據(jù)手冊NJS中文資料規(guī)格書

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廠商型號

BLV11

功能描述

VHF power transistor

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 20:18:00

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技術參數(shù)

  • 型號:

    BLV11

  • 功能描述:

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作頻率:

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封裝/箱體:

    Case 211-11

  • 封裝:

    Tray

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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