BLV10中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
BLV10規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f. and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a supply over-voltage to 16,5 V.
It has a 3/8” flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
BLV10
- 功能描述：
射頻雙極電源晶體管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作頻率：
30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
25 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
4 V
- 集電極連續(xù)電流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封裝/箱體：
Case 211-11
- 封裝：
Tray
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
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