BLV10中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
BLV10 |
| 功能描述 | VHP power transistor |
| 文件大小 |
115.23 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-4 19:10:00 |
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BLV10規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f.and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a supply over-voltageto 16,5 V.
It has a 3/8 flange envelope with a ceramic cap.All leads are isolated from the flange.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
BLV10
- 功能描述：
射頻雙極電源晶體管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作頻率：
30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
25 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
4 V
- 集電極連續(xù)電流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封裝/箱體：
Case 211-11
- 封裝：
Tray
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KODENSHI |
24+ |
SMD-6 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
1844+ |
NA |
9852 |
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詢價 | ||
PHI |
23+ |
NA |
8021 |
專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價代理特價，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品 |
詢價 | ||
原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
專營模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
PHI |
23+ |
TO-59 |
1200 |
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
PHI |
24+ |
TO-59 |
9630 |
我們只做原裝正品現(xiàn)貨!量大價優(yōu)! |
詢價 | ||
PHI |
24+ |
NA/ |
3456 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
MOT |
24+ |
580 |
詢價 | ||||
PHILIP |
23+ |
高頻管 |
750 |
專營高頻管模塊,全新原裝! |
詢價 | ||
PHI |
24+ |
2789 |
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詢價 |
