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BLS9G2934L-400分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
BLS9G2934L-400 |
參數(shù)屬性 | BLS9G2934L-400 封裝/外殼為SOT-502A;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A |
功能描述 | LDMOS S-band radar power transistor |
封裝外殼 | SOT-502A |
文件大小 |
1.37174 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | AMPLEON Ampleon USA Inc. |
中文名稱 | 安譜隆 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-2 17:45:00 |
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BLS9G2934L-400規(guī)格書詳情
BLS9G2934L-400屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLS9G2934L-400晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
Single ended 400 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the
frequency range from 2.9 GHz to 3.4 GHz.
Features and benefits
? Single ended
? Small size
? High efficiency
? Excellent ruggedness
? Designed for S-band operation
? Excellent thermal stability
? Easy power control
? Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation
? High flexibility with respect to pulse formats
? Internally matched for ease of use
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? S-band radar applications in the frequency range 2.9 GHz to 3.4 GHz
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BLS9G2934L-400U
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2.9GHz ~ 3.4GHz
- 增益:
12dB
- 額定電流(安培):
4μA
- 功率 - 輸出:
400W
- 封裝/外殼:
SOT-502A
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT502A
- 描述:
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BRIGHT |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
IC |
23+ |
SOP-8L |
10000 |
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詢價(jià) | ||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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22+ |
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Ampleon/安譜隆 |
24+ |
SOT502A |
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