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BLP10H660PG

Power LDMOS transistor; ? Easy power control\n? Integrated dual sided ESD protection enables class C operation and complete switch off of the transistor\n? Excellent ruggedness\n? High efficiency\n? Excellent thermal stability\n? Designed for broadband operation (HF to 1000 MHz)\n? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)\n;

A 60 W LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to?1000 MHz band\n\n

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLP10H660PG

Power LDMOS transistor

Generaldescription A60WLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrialapplicationsintheHFto 1000MHzband. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegrateddualsidedESDprotectionenablesclassCoperationandcompleteswitch offofthetransistor ?Excellentruggednes

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLP10H660PGY

Package：4-BESOP（0.173"，4.40mm 寬）；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

MC10H660

4-BItECL/TTLLoadReducingDRAMDriver

TheMC10H/100H660isa4–bitECLinput,translatingDRAMaddressdriver,ideallysuitedfordrivingTTLcompatibleDRAMinputsfromanECLsystem.Itisdesignedforuseinhighcapacity,highlyinterleavedDRAMmemoryboards,thatdirectlyinterfacetoahighspeed,pipelinedECLbusinterface,w

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

BLUENRG-2

ST
QFN-32 QFN-48

ST

技術(shù)參數(shù)

  • GP (dB)：

    18.0

  • Die Technology：

    LDMOS

  • VDS (V)：

    50.0

  • ηD (%)：

    72.0

  • PL(1dB) (W)：

    60.0

  • PL(1dB) (dBm)：

    47.8

  • Test Signal：

    Pulsed RF

  • Fmin (MHz)：

    10

  • Fmax (MHz)：

    1000

  • Status：

    Not for design in

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多BLP10H660PG供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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