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BLP10H605分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLP10H605
廠商型號(hào)

BLP10H605

參數(shù)屬性

BLP10H605 封裝/外殼為12-VDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

功能描述

Broadband LDMOS driver transistor
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

封裝外殼

12-VDFN 裸露焊盤

文件大小

878.36 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

AMPLEON Ampleon USA Inc.

中文名稱

安譜隆

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-9 9:31:00

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BLP10H605規(guī)格書詳情

BLP10H605屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP10H605晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

A 5 W plastic LDMOS power transistor for broadcast transmitter and ISM applications at

frequencies from HF to 1400 MHz.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated dual side ESD protection

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (HF to 1400 MHz)

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Industrial, scientific and medical applications

? Broadcast transmitter applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLP10H605Z

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    860MHz

  • 增益:

    22.4dB

  • 功率 - 輸出:

    5W

  • 封裝/外殼:

    12-VDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    12-HVSON(6x5)

  • 描述:

    RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Ampleon USA Inc.
22+
12HVSON (5x6)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
恩XP
23+
SMD
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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AMPLEON
23+
QFN
10000
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