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BLP05H6150XR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BLP05H6150XR |
| 參數(shù)屬性 | BLP05H6150XR 封裝/外殼為SOT-1223-2；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封裝外殼 | SOT-1223-2 |
| 文件大小 |
1.39018 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Ampleon Ampleon USA Inc. |
| 中文名稱 | 安譜隆 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-3 20:00:00 |
| 人工找貨 | BLP05H6150XR價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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BLP05H6150XR屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP05H6150XR晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
A 150 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial
applications in the HF to 600 MHz band.
Features and benefits
? Easy power control
? Integrated double sided ESD protection
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability
? Designed for broadband operation (HF to 600 MHz)
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? Industrial, scientific and medical applications
? Broadcast transmitter applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BLP05H6150XRY
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS（雙），共源
- 頻率：
108MHz
- 增益：
27dB
- 功率 - 輸出：
150W
- 封裝/外殼：
SOT-1223-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
4-HSOPF
- 描述：
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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