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BLL6H0514LS-130分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLL6H0514LS-130
廠商型號

BLL6H0514LS-130

參數(shù)屬性

BLL6H0514LS-130 封裝/外殼為SOT-1135B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B

功能描述

LDMOS driver transistor
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B

封裝外殼

SOT-1135B

文件大小

932.15 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

AMPLEON Ampleon USA Inc.

中文名稱

安譜隆

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-18 13:49:00

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BLL6H0514LS-130規(guī)格書詳情

BLL6H0514LS-130屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLL6H0514LS-130晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

130 W LDMOS transistor intended for pulsed applications in the 0.5 GHz to 1.4 GHz

range.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated ESD protection

? High flexibility with respect to pulse formats

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (0.5 GHz to 1.4 GHz)

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Amplifiers for pulsed applications in the 0.5 GHz to 1.4 GHz frequency range

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLL6H0514LS-130,11

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.2GHz ~ 1.4GHz

  • 增益:

    17dB

  • 額定電流(安培):

    18A

  • 功率 - 輸出:

    130W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1135B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B

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