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BLL6G1214L-250分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLL6G1214L-250
廠商型號

BLL6G1214L-250

參數(shù)屬性

BLL6G1214L-250 封裝/外殼為SOT-502A;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A

功能描述

LDMOS L-band radar power transistor
RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A

封裝外殼

SOT-502A

文件大小

1.83581 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

AMPLEON Ampleon USA Inc.

中文名稱

安譜隆

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-18 23:01:00

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BLL6G1214L-250規(guī)格書詳情

BLL6G1214L-250屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLL6G1214L-250晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

250 W LDMOS power transistor intended for L-band radar applications in the 1.2 GHz to

1.4 GHz range.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated ESD protection

? High flexibility with respect to pulse formats

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (1.2 GHz to 1.4 GHz)

? Internally matched for ease of use

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? L-band power amplifiers for radar applications in the 1.2 GHz to 1.4 GHz frequency

range

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLL6G1214L-250,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.2GHz ~ 1.4GHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 輸出:

    250W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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