BLF879P分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BLF879P |
參數(shù)屬性 | BLF879P 封裝/外殼為SOT-539B;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
封裝外殼 | SOT-539B |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
130 頁 |
生產(chǎn)廠商 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-8 20:00:00 |
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BLF879P規(guī)格書詳情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BLF879PS,112
- 制造商:
ETC
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS(雙),共源
- 頻率:
860MHz
- 增益:
21dB
- 功率 - 輸出:
200W
- 封裝/外殼:
SOT-539B
- 供應商器件封裝:
SOT539B
- 描述:
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
21 |
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19+ |
射頻管 |
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SOT539A |
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