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BLF879P分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF879P
廠商型號

BLF879P

參數(shù)屬性

BLF879P 封裝/外殼為SOT-539B;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

SOT-539B

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-8 20:00:00

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BLF879P規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLF879PS,112

  • 制造商:

    ETC

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    860MHz

  • 增益:

    21dB

  • 功率 - 輸出:

    200W

  • 封裝/外殼:

    SOT-539B

  • 供應商器件封裝:

    SOT539B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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