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BLF6G20-180P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BLF6G20-180P |
| 參數(shù)屬性 | BLF6G20-180P 封裝/外殼為SOT-539A；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A |
| 功能描述 | UHF power LDMOS transistor |
| 封裝外殼 | SOT-539A |
| 文件大小 |
49.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Philips Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
PHI【飛利浦】 |
| 中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦 |
| 原廠標(biāo)識 | PHILIPS |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-3 16:59:00 |
| 人工找貨 | BLF6G20-180P價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BLF6G20-180P規(guī)格書詳情
General description
180 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz.
特性 Features
■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 1805 MHz and 1880 MHz, a supply voltage of 32 V and an IDq of 1600 mA:
◆ Average output power = 50 W
◆ Power gain = 17.5 dB (typ)
◆ Efficiency = 27.5
◆ ACPR = ?35 dBc
■ Easy power control
■ Integrated ESD protection
■ Excellent ruggedness
■ High efficiency
■ Excellent thermal stability
■ Designed for broadband operation (1800 MHz to 2000 MHz)
■ Internally matched for ease of use
Applications
■ RF power amplifiers for W-CDMA base stations and multi carrier applications in the 1800 MHz to 2000 MHz frequency range.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BLF6G20-180PN,112
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS（雙），共源
- 頻率：
1.8GHz ~ 1.88GHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 輸出：
50W
- 封裝/外殼：
SOT-539A
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT539A
- 描述：
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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