BLF573S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BLF573S |
| 參數(shù)屬性 | BLF573S 封裝/外殼為SOT-502B；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B |
| 功能描述 | HF / VHF power LDMOS transistor |
| 封裝外殼 | SOT-502B |
| 文件大小 |
1.21831 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | AMPLEON Ampleon USA Inc. |
| 中文名稱 | 安譜隆 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 23:00:00 |
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BLF573S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF573S晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
A 300 W LDMOS RF power transistor for broadcast applications and industrial, scientific
and medical applications in the HF to 500 MHz band.
Features and benefits
? Typical CW performance at frequency of 225 MHz, a supply voltage of 50 V and an
IDq of 900 mA:
? Average output power = 300 W
? Power gain = 27.2 dB
? Efficiency = 70
? Easy power control
? Integrated ESD protection
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability
? Designed for broadband operation (HF and VHF band)
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? Industrial, scientific and medical applications
? Broadcast transmitter applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BLF573S,112
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
225MHz
- 增益：
27.2dB
- 額定電流（安培）：
42A
- 功率 - 輸出：
300W
- 封裝/外殼：
SOT-502B
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT502B
- 描述：
RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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