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BLF2425M9LS30數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF

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廠商型號(hào)

BLF2425M9LS30

參數(shù)屬性

BLF2425M9LS30 封裝/外殼為SOT-1135B;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B

封裝外殼

SOT-1135B

制造商

Ampleon Ampleon USA Inc.

中文名稱(chēng)

安譜隆

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-14 19:12:00

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BLF2425M9LS30規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

30 W LDMOS power transistor for Industrial, Scientific and Medical (ISM) applications atfrequencies from 2400 MHz to 2500 MHz.

The BLF2425M9L30 and BLF2425M9LS30 are drivers designed for high power CW applicationsand are assembled in a high performance ceramic package.

特性 Features

High efficiency
High power gain
Excellent ruggedness
Excellent thermal stability
Integrated ESD protection
Designed for broadband operation (2400 MHz to 2500 MHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)

應(yīng)用 Application

Industrial, scientific and medical applications in the frequency range from 2400MHz to 2500 MHz

簡(jiǎn)介

BLF2425M9LS30屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的BLF2425M9LS30晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :BLF2425M9LS30

  • 生產(chǎn)廠家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :18.5

  • PL(AV) (W)

    :30.0

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :32.0

  • ηD (%)

    :61.0

  • PL(1dB) (W)

    :30.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :44.8

  • Test Signal

    :CW

  • Fmin (MHz)

    :2400

  • Fmax (MHz)

    :2500

  • Status

    :Production

  • Matching

    :-

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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