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BLF189XRA數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

BLF189XRA

參數(shù)屬性

BLF189XRA 封裝/外殼為SOT-539A;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:BLF189XRA/SOT539/TRAY

功能描述

Power LDMOS transistor
BLF189XRA/SOT539/TRAY

封裝外殼

SOT-539A

制造商

Ampleon Ampleon USA Inc.

中文名稱

安譜隆

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-18 13:26:00

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BLF189XRA規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

A 1700 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 500 MHz band.

特性 Features

? Easy power control
? Integrated dual sided ESD protection
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability
? Designed for broadband operation (HF to 500 MHz)
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

應(yīng)用 Application

? Industrial, scientific and medical applications
? Broadcast transmitter applications

簡(jiǎn)介

BLF189XRA屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的BLF189XRA晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :BLF189XRA

  • 生產(chǎn)廠家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :26.2

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :50.0

  • ηD (%)

    :74.0

  • PL(1dB) (W)

    :1700.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :62.3

  • Test Signal

    :Pulsed RF

  • Fmin (MHz)

    :1

  • Fmax (MHz)

    :500

  • Status

    :Not for design in

  • Matching

    :-

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
國(guó)巨
24+
SMD
100000
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國(guó)巨/PULSE
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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SMD8P,1.3x2mm
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PULSE(普思)
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原裝現(xiàn)貨,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持,原廠對(duì)接
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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