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BSS123

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary ●VDS100V ●ID200mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

揚州揚杰電子揚州揚杰電子科技股份有限公司

BSS123

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTramsistor

Features ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?HighDrain-SourceVoltageRating

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

BSS123

N-ChannelMOSFET

Features ●VDS(V)=100V ●ID=0.17A(VGS=10V) ●RDS(ON)

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

BSS123

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

FEATURE ●Pb-FreePackageisavailable.

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

BSS123

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BSS123

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

FUTUREWAFER

FutureWafer Tech Co.,Ltd

BSS123

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET–ESDProtected

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@170mA

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

BSS123

SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS

FEATURE SurfaceMountPackage HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) VoltageControlledSmallSignalSwitch RuggedandReliable

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

BSS123

N-channelTrenchMOS?transistorLogiclevelFET

FEATURES ?’Trench’technology ?Extremelyfastswitching ?Logiclevelcompatible ?Subminiaturesurfacemounting package GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode field-effecttransistorinaplastic envelopeusing’trench’ technology. Applications:- ?Relaydriver ?High-spe

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BSS123

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features Lowon-resistance High-speedswitching Drivecircuitscanbesimple Paralleluseiseasy

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

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更多BLD123DAL供應商 更新時間2025-7-24 14:02:00

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