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BLC10G27LS-320AVT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
BLC10G27LS-320AVT |
參數(shù)屬性 | BLC10G27LS-320AVT 封裝/外殼為SOT1258-1;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:BLC10G27LS-320AV/SOT1258/TRAYD |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
封裝外殼 | SOT1258-1 |
文件大小 |
1.44523 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
AMPLEON【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-3 15:00:00 |
人工找貨 | BLC10G27LS-320AVT價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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BLC10G27LS-320AVT規(guī)格書詳情
BLC10G27LS-320AVT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLC10G27LS-320AVT晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
320 W LDMOS packaged asymmetrical Doherty power transistor for base station
applications at frequencies from 2500 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Low thermal resistance providing excellent thermal stability
? Decoupling leads to enable improved video bandwidth
? Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
? Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
? Internally matched for ease of use
? Integrated ESD protection
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? RF power amplifier for W-CDMA base stations and multi carrier applications in the
2500 MHz to 2700 MHz frequency range
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BLC10G27LS-320AVTZ
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2.5GHz ~ 2.7GHz
- 增益:
16dB
- 額定電流(安培):
2.8μA
- 功率 - 輸出:
320W
- 封裝/外殼:
SOT1258-1
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT1258-1
- 描述:
BLC10G27LS-320AV/SOT1258/TRAYD
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Ampleon USA Inc. |
2022+ |
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