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BLA6H0912-500分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLA6H0912-500
廠商型號

BLA6H0912-500

參數(shù)屬性

BLA6H0912-500 封裝/外殼為SOT634A;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A

功能描述

LDMOS avionics radar power transistor
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A

封裝外殼

SOT634A

文件大小

947.78 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

AMPLEON Ampleon USA Inc.

中文名稱

安譜隆

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 23:01:00

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BLA6H0912-500規(guī)格書詳情

BLA6H0912-500屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLA6H0912-500晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

500 W LDMOS power transistor intended for avionics transmitter applications in the

960 MHz to 1215 MHz range such as Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and TACAN.

Features and benefits

? Typical pulsed RF performance at a frequency of 960 MHz to 1215 MHz, a supply

voltage of 50 V, an IDq of 100 mA, a tp of 128 ?s with ? of 10 :

? Output power = 450 W

? Power gain = 17 dB

? Efficiency = 50

? Easy power control

? Integrated ESD protection

? High flexibility with respect to pulse formats

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (960 MHz to 1215 MHz)

? Internally matched for ease of use

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? A-band power amplifiers for radar applications in the 960 MHz to 1215 MHz frequency

range

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLA6H0912-500,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz ~ 1.22GHz

  • 增益:

    17dB

  • 額定電流(安培):

    54A

  • 功率 - 輸出:

    450W

  • 封裝/外殼:

    SOT634A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT634A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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