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BLA6H0912-500分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLA6H0912-500
廠商型號

BLA6H0912-500

參數(shù)屬性

BLA6H0912-500 封裝/外殼為SOT634A;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A

功能描述

LDMOS avionics radar power transistor

封裝外殼

SOT634A

文件大小

136.88 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-22 20:00:00

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BLA6H0912-500規(guī)格書詳情

General description

500 W LDMOS power transistor intended for avionics transmitter applications in the 960 MHz to 1215 MHz range such as Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and TACAN.

Features and benefits

■ Typical pulsed RF performance at a frequency of 960 MHz to 1215 MHz, a supply

voltage of 50 V, an IDq of 100 mA, a tp of 128 μs with δ of 10 :

◆ Output power = 450 W

◆ Power gain = 17 dB

◆ Efficiency = 50

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ High flexibility with respect to pulse formats

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (960 MHz to 1215 MHz)

■ Internally matched for ease of use

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

■ A-band power amplifiers for radar applications in the 960 MHz to 1215 MHz frequency

range

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLA6H0912-500,112

  • 制造商:

    ETC

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz ~ 1.22GHz

  • 增益:

    17dB

  • 額定電流(安培):

    54A

  • 功率 - 輸出:

    450W

  • 封裝/外殼:

    SOT634A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT634A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A

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