BG3430R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BG3430R |
| 參數(shù)屬性 | BG3430R 封裝/外殼為6-VSSOP，SC-88，SOT-363；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
| 功能描述 | DUAL N-Channel MOSFET Tetrode |
| 封裝外殼 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
548.31 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-2 23:00:00 |
| 人工找貨 | BG3430R價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BG3430R規(guī)格書詳情
BG3430R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BG3430R晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BG3430RH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
2 N-通道（雙）
- 頻率：
800MHz
- 增益：
25dB
- 額定電流（安培）：
25mA
- 噪聲系數(shù)：
1.3dB
- 封裝/外殼：
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-SOT363-PO
- 描述：
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
3000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
Infineo |
24+ |
SOT-363 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
25+ |
SOT-363 |
15000 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
SOT-363 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
08+ |
SOT-363 |
15000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-363 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
SOT-363 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
Infineon |
24+ |
SOT-363 |
8500 |
原廠原包原裝公司現(xiàn)貨,假一賠十,低價(jià)出售 |
詢價(jià) | ||
INF |
24+ |
30000 |
詢價(jià) |
