BG3123R數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
BG3123R |
| 參數(shù)屬性 | BG3123R 封裝/外殼為6-VSSOP，SC-88，SOT-363；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
| 功能描述 | DUAL N-Channel MOSFET Tetrode |
| 封裝外殼 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-1 23:01:00 |
| 人工找貨 | BG3123R價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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簡介
BG3123R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的BG3123R晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
BG3123RH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
2 N-通道（雙）
- 頻率：
800MHz
- 增益：
25dB
- 額定電流（安培）：
25mA，20mA
- 噪聲系數(shù)：
1.8dB
- 封裝/外殼：
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-SOT363-PO
- 描述：
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
5485 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SOT-363 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
25+ |
SOT-363 |
5485 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
HF |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
1822+ |
SOT-363 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SOT363-6 |
50000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
HF |
8560 |
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
23+ |
SOT-363 |
7936 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
22+ |
SOT3636 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) |
