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BG3123分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BG3123
廠商型號(hào)

BG3123

參數(shù)屬性

BG3123 封裝/外殼為6-VSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

功能描述

DUAL N-Channel MOSFET Tetrode
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

封裝外殼

6-VSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

183.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-4 20:00:00

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BG3123規(guī)格書詳情

BG3123屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BG3123晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BG3123H6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    2 N-通道(雙)

  • 頻率:

    800MHz

  • 增益:

    25dB

  • 額定電流(安培):

    25mA,20mA

  • 噪聲系數(shù):

    1.8dB

  • 封裝/外殼:

    6-VSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT363-PO

  • 描述:

    MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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