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BG150G12F13L4數(shù)據(jù)手冊BYD中文資料規(guī)格書

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廠商型號

BG150G12F13L4

功能描述

IGBT模塊

制造商

BYD BYD Microelectronics Co.,Ltd.

中文名稱

比亞迪半導(dǎo)體 比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-30 18:11:00

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BG150G12F13L4規(guī)格書詳情

描述 Description

比亞迪IGBT電源模塊BG150G12F13L4具有低開關(guān)損耗特性,高功率和熱循環(huán)能力,引入了先進的IGBT芯片/ FWD,改進了連接方式。

特性 Features

? 1200V平面磁場停止技術(shù)
? 低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗
? 溫度系數(shù)為正的VCEsat

應(yīng)用 Application

? 輔助逆變器
? 伺服驅(qū)動
? 馬達(dá)驅(qū)動器
? 醫(yī)療應(yīng)用

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
BYD
22+
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6500
BYD全系列在售
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