BFR460L3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BFR460L3 |
| 參數(shù)屬性 | BFR460L3 封裝/外殼為SC-101，SOT-883；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ TSLP-3-1 |
| 功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
| 封裝外殼 | SC-101，SOT-883 |
| 文件大小 |
96.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-21 20:08:00 |
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BFR460L3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFR460L3晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
? For low voltage / low current applications
? Ideal for VCO modules and low noise amplifiers
? Low noise figure: 1.1 dB at 1.8 GHz
? Excellent ESD performance
typical value 1500V (HBM)
? High fT of 22 GHz
? Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small
leadless package
? Qualification report according to AEC-Q101 available
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BFR460L3E6327XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
5.8V
- 頻率 - 躍遷：
22GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
- 增益：
16dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 20mA，3V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-101，SOT-883
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TSLP-3-1
- 描述：
RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ TSLP-3-1
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
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NA/ |
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25000 |
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TSLP-3 |
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原裝正品 |
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Infineon/英飛凌 |
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TSLP-3 |
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INFINEON |
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TSLP-3-9 |
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