BFR183W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BFR183W |
| 參數(shù)屬性 | BFR183W 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 |
| 功能描述 | NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA) |
| 封裝外殼 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
56.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | SIEMENS |
| 中文名稱 | 西門子 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-5 23:01:00 |
| 人工找貨 | BFR183W價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BFR183W規(guī)格書詳情
NPN Silicon RF Transistor
? For low-noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA
? fT = 8 GHz
F = 1.2 dB at 900 MHz
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BFR183WH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
- 頻率 - 躍遷：
8GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 增益：
18.5dB
- 功率 - 最大值：
450mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 15mA，8V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
65mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-70，SOT-323
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-SOT323
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
3000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7648 |
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SOT-323 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
INFIENON |
25+ |
04(PB-FREE) |
12000 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) | ||
inf |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價(jià),代理渠道 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
23+ |
SOT323/343 |
7936 |
詢價(jià) | |||
恩XP |
24+ |
SOT-143 |
6618 |
公司現(xiàn)貨庫存,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
SOT-323 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
25+23+ |
Sot-323 |
30412 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INF |
23+ |
9516 |
詢價(jià) |
