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BFR181W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFR181W
廠商型號

BFR181W

參數(shù)屬性

BFR181W 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

功能描述

NPN Silicon RF Transistor )For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12mA)

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

56.04 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

SIEMENS

中文名稱

西門子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 23:01:00

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BFR181W規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

? For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA

? fT = 8 GHz

F = 1.45 dB at 900 MHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFR181WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    19dB

  • 功率 - 最大值:

    175mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 5mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    20mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
24+
NA/
3270
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
詢價
Infineon(英飛凌)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
22048
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。
詢價
INFINEON/英飛凌
25+
SOT-323
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Infineon/英飛凌
21+
SOT323-3
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24+
500000
行業(yè)低價,代理渠道
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Infineon/英飛凌
24+
SOT323-3
25000
原裝正品,假一賠十!
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INFINEON/英飛凌
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45000
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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INFINEON
23+
SOT-323
7936
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